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| FET类型 | N-Channel |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15毫欧@33A，10V |
| 品牌 | Infineon |
| 安装类型 | DIP |
| 阈值电压Vgs(th) | 5V |
| 输入电容(Ciss)(Max) | 4460pF |
| 是否无铅 | Yes |
| 充电电量 | 110nC |
| 封装/外壳 | TO220AB |
| 工作温度(Tj) | -55~+175℃ |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V |
| 连续漏极电流Id@25℃ | 85A |
| 系列 | HEXFET® |
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