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| 阈值电压Vgs(th) | 3V |
| 输入电容(Ciss)(Max) | 290pF@25V |
| FET类型 | N+N沟道 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130毫欧@3A，10V |
| 安装类型 | SMT |
| 是否无铅 | Yes |
| 封装/外壳 | SOIC8_150MIL |
| 工作温度(Tj) | -55~+150℃ |
| 漏源极电压（Vdss） | 50V |
| 连续漏极电流Id@25℃ | 3A |
| 系列 | HEXFET® |
| 零件状态 | Active |
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