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| FET类型 | N沟道 |
| 安装类型 | DIP |
| 阈值电压Vgs(th) | 4V@250µA |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36毫欧@23A，10V |
| 输入电容(Ciss)(Max) | 1900pF@25V |
| 是否无铅 | Yes |
| 封装/外壳 | TO220AB |
| 工作温度(Tj) | -55~+175℃ |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流Id@25℃ | 42A |
| 系列 | HEXFET® |
| 零件状态 | Active |
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