类别 | 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | |
品牌 | onsemi | |
管件 | ||
零件状态 | 不适用于新设计 | |
IGBT 类型 | NPT | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 35 A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.7V @ 15V,10A | |
功率 - 最大值 | 298 W | |
开关能量 | 850µJ(开),800µJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 100 nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 23ns/165ns | |
测试条件 | 960V,10A,10 欧姆,15V | |
反向恢复时间 (trr) | 70 ns | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
品牌介绍
安森美 (onsemi) 正推动颠覆性创新,帮助建设更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动大趋势的变革,包括汽车功能电子化和安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美以高度差异化的创新产品组合,创造智能电源和感知技术,解决复杂的挑战,并引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。安森美拥有响应迅速且可靠的供应链和质量控制流程,以及健全的ESG计划。公司总部位于美国亚利桑那州凤凰城,并在各大主要市场形成了由制造基地、销售和营销办事处以及工程中心组成的全球网络。